شرکت TSMC اطلاعاتی از لیتوگرافی 3 و 5 نانومتری را اعلام کرد
شرکت تایوانی TSMC به تازگی اطلاعاتی از توسعه لیتوگرافی 3 نانومتری و 5 نانومتری را اعلام کرد. این شرکت در حال تولید انبوه تراشه‌های 5 نانومتری (با اسم مستعار N5) است و از جمله گوشی‌های مجهز به این تراشه‌ها می‌توانیم به آیفون 12 اشاره کنیم. این شرکت همچنین در مورد تراشه های 3 نانومتری (که N3 هم نامیده می‌شوند) توضیحات بیشتری ارائه داده است.
طبق اعلام TSMC، این شرکت برای تولید تراشه های 3 نانومتری مسیر متفاوتی نسبت به سامسونگ در پیش گرفته و تولید انبوه آنها در نیمه دوم سال 2020 آغاز خواهد شد. چندین مرحله بین N5 و N3 وجود دارد که اولین گام N5P محسوب می‌شود. در مرحله N5P از همان زیرساخت‌های تراشه‌های 5 نانومتری استفاده می‌شود با این تفاوت که با 5 درصد افزایش سرعت و 10 درصد کاهش مصرف انرژی روبرو می‌شویم و تولید مربوط به این مرحله در سال 2021 آغاز می‌شود.
یک زیر مجموعه در خانواده نودهای N5 با نام N4 وجود دارد که در فصل چهارم 2021 وارد فاز تولید می‌شود. نود N4 با نام تجاری فناوری 4 نانومتری عرضه خواهد شد، اگر چه این کمپانی به میزان بهبود مصرف انرژی یا عملکرد نسبت به N5 اشاره‌ای نکرده است. لیتوگرافی اصلی بعدی TSMC نود 3 نانومتری یا N3 خواهد بود که بهود عظیم 25 الی 30 درصدی در مصرف انرژی با عملکرد مشابه یا 10 الی 15 درصدی کارایی در مصرف یکسان را در مقایسه با N5 وعده می‌دهد.
این نود همچنین 70 درصد افزایش تراکم منطقی نسبت به N5 را فراهم می‌کند. فناوری 3DFabric نیز یک تکنولوژی جدید برای CoWoS یا تراشه روی ویفر روی لایه، مدل CoW یا چیپ روی ویفر و WoW یا ویفر روی ویفر به عنوان نوآوری‌های جدید تولید چیپ سه بعدی می‌باشند. برنامه‌های TSMC ارائه این نوآوری‌ها برای رقابت با تکنولوژی‌های مشابه اینتل مانند Foveros 3D می‌باشد.
