ساخت ماژول های رم DDR5 DRAM با سرعت 10 گیگاهرتز

همانطور که می دانید، حافظه های نسل بعدی DDR5 سریع خواهد بود. اینکه چقدر سریع می تواند به عوامل زیادی بستگی داشته باشد. در حال حاضر، بسیاری از شرکت ها در حال کار بر روی این جنبه هستند و دیروز گزارشات منتشر شده IT Home، نشان می دهد، یک شرکت حافظه چینی به نام “Netac Technology” قصد دارد ماژول های DRDR DDR5 را با قابلیت کار با بیش از 10،000 مگاهرتز تولید کند. اگرچه تأیید نشده، اما معنای واقعی خبر این است که حافظه جدید Netac می تواند بیش از 10000 مگابیت در ثانیه در ثانیه انجام دهد.

گفته می شود این شرکت در حال حاضر از تراشه های حافظه میکرون IFA45 Z9ZSB استفاده می کند که با ماژول های 16 گیگابایتی (2Gx8) شروع می شوند. تراشه ها بر روی گره فرایند 1AM nm DRAM میکرون ساخته شده اند و از 40-40-40 زیر زمان بندی استفاده می کنند. سال گذشته میکرون اظهار داشت که حافظه DDR5 آن می تواند حداکثر 6400 مگابایت در ثانیه را انجام دهد و 10،000 قطعاً رقمی بسیار بالاتر از آن است.

Netac تنها شرکتی نیست که اخیراً در رابطه با ساخت محصولات باورنکردنی و مهیج DDR5 در آینده خبر می دهد. سامسونگ اخیراً اعلام کرده که در حال ساخت اولین ماژول 512 گیگابایتی DDR5 در جهان است، هرچند به سرعت راه حل Netac نخواهد بود و با سرعتی بالغ بر 7200 مگابایت در ثانیه خواهد بود. ماژول 512 گیگابایتی در حال طراحی است که در محیط های سازمانی با کارایی بالا مانند سرورها و موارد دیگر مورد استفاده قرار می گیرد، اما ما انتظار داریم که کیت های 10 هزار مگاهرتزی Netac عمدتا قطعات گیمینگ باشند.