ساخت تراشه های 3 نانومتری سامسونگ با حجم بالا در سال آینده

سامسونگ که پس از TSMC به دومین شرکت بزرگ ساخت پردازنده در جهان تبدیل شده، اخیراً تغییراتی را در فناوری تولید تراشه‌های 3 نانومتری خود اعمال کرده است و قرار است به زودی اولین چیپست 3 نانومتری این شرکت مبتنی بر فناوری ساخت تراشه 3GAE تولید و روانه بازار شود. بر اساس گزارشات منتشر شده تراشه‌های مذکور یک سال دیرتر از موعد مقرر تولید و راهی بازار می‌شوند. همچنین احتمالاً این چیپ‌ها فقط برای مصارف داخلی سامسونگ تولید شده و به همین دلیل استفاده از این تراشه‌ها از نقشه راه سامسونگ کنار گذاشته شد.

یکی از نمایندگان سامسونگ در این مورد گفته است که این شرکت با مشتریان خود در مورد چیپ‌هایی که با معماری 3GAE هستند، در حال بحث و گفتگو بوده است. همچنین انتظار داریم که تا سال آینده این محصولات به تولید انبوه برسند. از سوی دیگر چیپ‌هایی با معماری 3GAP یا (3nm Gate-All-Around Plus) که جایگزین چیپ‌های مبتنی بر معماری 3GAE هستند در نقشه راه سامسونگ قرار دارند و انتظار می‌رود تولید آن تا دو سال آینده آغاز شود. این نقشه راه در رویداد Foundry Forum امسال در چین اعلام شد. در این رویداد سامسونگ نقشه راه جدید خود را به صورت عمومی معرفی کرد که پس از آن در Baidu و Weibo منتشر شد.

سامسونگ از فناوری FinFET برای تولید چیپ‌های خود استفاده کرده و حالا نیز استفاده از فناوری‌های 5LPP و 4LPP در چیپ‌های جدید خود را به نقشه راه اش افزوده است. همچنین قرار است این چیپ‌ها برای سال 2022 و 2023 میلادی به تولید انبوه برسند. سامسونگ در سال 2019 میلادی از دو فناوری 3GAP و 3GAE رونمایی و از افزایش 35 درصدی عملکرد آن‌ها خبر داد. همچنین در ادامه به کاهش 50 درصدی مصرف انرژی این فناوری ها در مقایسه با 7LPP اشاره کرد. در همان زمان سامسونگ از شروع به کار تولید انبوه تراشه‌های خود با فناوری 3GAA یا (Gate-All-Around transistor architecture) تا اواخر سال 2021 میلادی خبر داد.