رونمایی سامسونگ از حافظه 512 گیگابایتی DDR5 با سرعت 7.2 گیگابایت بر ثانیه

سامسونگ در جریان رویداد Hot chips 33 امسال، سامسونگ جدیدترین آثار خود را در مورد استاندارد حافظه آینده DDR5 ارائه کرده است. این شرکت توانسته به پیشرفت های جدید زیادی دست پیدا کند، چراکه با یکی کردن استاندارد ها و فناوری های جدید، سرعت و ظرفیت بهتری را ارائه دهد. اکنون این شرکت کره ای از ماژول‌های حافظه DDR5 با ظرفیت 512 گیگابایت رونمایی کرد. این حافظه‌های رم جدید که به سرعت خارق‌العاده 7.2 گیگابایت بر ثانیه دست پیدا می‌کنند، تا پایان سال جاری میلادی به تولید انبوه خواهند رسید.

برای دستیابی به ظرفیت 512 گیگابایتی، سامسونگ هشت لایه تراشه DRAM را روی هم قرار داده که در 2 کانال متفاوت تقسیم شده‌اند. سامسونگ همچنین به کمک یک فناوری تولید وافر نازک، فاصله بین لایه‌ها را تا 40 درصد کاهش داده تا ارتفاع این ماژول حافظه تنها یک میلی‌متر باشد. در این ماژول‌ حافظه DDR5، گردش هوا نیز آسان‌تر شده و سیستم خنک‌کننده بهتر کار می‌کند.

نسل جدید حافظه‌های رم DDR5 سامسونگ رکورد سرعت را جابه‌جا کرده‌اند و هم‌اکنون می‌توانند در ولتاژ تنها 1.1 ولت، به سرعت 7200 مگابایت بر ثانیه دست پیدا کنند. بر اساس این عملکرد، ماژول‌های DDR5 جدید سرعتی 2.2 برابر و ظرفیت 2 برابری نسبت به بهترین DDR4ها دارند و در ولتاژ پایین‌تری کار می‌کنند.

باس حافظه نیز در حافظه‌های DDR5 تا 18 درصد بهینه‌تر عمل می‌کند؛ این عملکرد بهینه به لطف فناوری PMIC برای کاهش ولتاژ حاصل شده است. از دیگر خصوصیات رم‌های 512 گیگابایتی DDR5 سامسونگ می‌توان به فناوری HKMG و کاهش خطا با فناوری ECC اشاره کرد که قابل اطمینان بودن و امنیت پردازش داده‌ها را تضمین می‌کنند. انتظار می‌رود که DDR5، تا سال‌ 2024 به استاندارد اصلی مورد استفاده در این حوزه از جهان فناوری تبدیل شود.