ترانزیستورهای جدید IBM و سامسونگ برای تراشه های زیر 1 نانومتر

آی‌بی‌ام و سامسونگ ادعا کرده اند که در طراحی نیمه‌رساناها به پیشرفت دست یافته اند. در روز اول کنفرانس IEDM در سانفرانسیسکو، این دو شرکت از طرح جدیدی برای چیدن ترانزیستورها به صورت عمودی بر روی یک تراشه رونمایی کردند که می‌تواند کلید اصلی تولید چیپ‌های زیر 1 نانومتری باشد.

با پردازنده‌های فعلی و سیستم روی چیپ ها، ترانزیستورها روی سطح سیلیکون صاف قرار می‌گیرند و سپس جریان الکتریکی از یک سو تا سوی دیگر گردش دارد. در مقابل، ترانزیستورهای اثر میدان انتقال عمودی (VTFET) عمود بر یکدیگر قرار می گیرند و جریان به صورت عمودی گردش می یابد. به گفته IBM و سامسونگ، این طراحی دو مزیت دارد. اول، به آنها اجازه می دهد تا بسیاری از محدودیت های عملکرد را دور بزنند تا قانون مور را فراتر از آستانه 1 نانومتری گسترش دهند.  مهم‌تر اینکه با استفاده از این طراحی و به لطف جریان بیشتر، انرژی کمتری از دست خواهد رفت.

آن‌ها پیش‌بینی می‌کنند که طراحی VTFET منجر به تولید پردازنده‌هایی با سرعت دو برابر می‌شود و همچنین نسبت به تراشه‌های طراحی شده با ترانزیستورهای FinFET به میزان ۸۵ درصد انرژی کمتر مصرف می‌کند. همچنین به عقیده این دو شرکت، در نهایت این فرآیند می‌تواند روزی باعث شود تا باتری گوشی‌های موبایل با یک بار شارژ کامل به مدت یک هفته مقاومت خود را حفظ کنند.

آی‌بی‌ام و سامسونگ ادعا می‌کنند که این فرآیند ممکن است روزی به گوشی‌هایی اجازه دهد که یک هفته کامل با یک بار شارژ کار کنند. آنها می گویند که این کار همچنین می تواند برخی از وظایف انرژی بر، از جمله استخراج رمزنگاری، انرژی کارآمدتر و در نتیجه تاثیر کمتری بر محیط زیست داشته باشد.با این وجود غول‌های فناوری هنوز مشخص نکرده‌اند که از چه زمانی قصد دارند طرح خود را تجاری سازی کنند. همچنین آن‌ها تنها شرکت‌هایی نیستند که تلاش می‌کنند از سد فرآیند یک  نانومتری عبور کنند. اینتل نیز در ماه‌های گذشته اعلام کرده بود که قصد دارد طراحی تراشه‌های «عصر انگستروم» را با استفاده از معماری ترانزیستورهای RibbonFET تا سال 2024 به پایان برساند.