سامسونگ اولین حافظه 12 نانومتری DDR5 را با بهبود برای AMD معرفی کرد

سامسونگ در مسیر شروع تولید انبوه تراشه های حافظه جدید DDR5 DRAM است که بر اساس اولین لیتوگرافی 12 نانومتری ساخته شده است. این شرکت قصد دارد تولید تراشه های جدید را در سال 2023 آغاز کند تا به لطف عملکرد بهبود یافته و بهره وری بیشتر انرژی، “نسل بعدی محاسبات، مراکز داده و برنامه های کاربردی هوش مصنوعی را پیش ببرد”.

تراشه‌های جدید 16 گیگابیتی (گیگابیت) DRAM سامسونگ برای تمام پلتفرم‌هایی که از استاندارد DDR5 استفاده می‌کنند، سود خواهند برد. با این حال، این شرکت بهبودهایی را به طور خاص برای AMD برجسته می کند. در بیانیه مطبوعاتی رسمی ادعا شده که این تراشه‌ها برای آخرین پلتفرم‌های AMD Zen با پشتیبانی از DDR5 (سوکت Zen4 و AM5) “بهینه‌سازی و تایید شده‌اند”.

جابه‌جایی به یک فرآیند فناوری 12 نانومتری جدیدتر به محصول سامسونگ اجازه می‌دهد تا سرعت را تا 7.2 گیگابیت بر ثانیه (تقریباً به پردازش دو فیلم 32 گیگابایتی UHD تنها در یک ثانیه ترجمه کند) در حالیکه تا 23 درصد کمتر از “DRAM قبلی” مصرف می‌کند. حافظه به روز شده از یک ماده جدید با کیفیت بالا با افزایش ظرفیت سلول و بهبود “ویژگی های مدار بحرانی” استفاده می کند. سامسونگ همچنین به بالاترین تراکم قالب در صنعت می بالد که بهره وری ویفر را تا 20 درصد افزایش می دهد.

سامسونگ وعده داده است که از تراشه‌های 12 نانومتری DDR5 DRAM در طیف گسترده‌ای از بخش‌های بازار استفاده کند، بنابراین انتظار رم سریع‌تر و کارآمدتر را در انواع رایانه‌ها و سرورها داشته باشید.