سامسونگ برای تولید انبوه اولین تراشه اگزینوس 3 نانومتری خود آماده می شود

در بیانیه مطبوعاتی سامسونگ و Synopsys، این دو شرکت اعلام کردند که ریخته گری های سامسونگ در حال آماده شدن برای تولید انبوه اولین تراشه 3 نانومتری اگزینوس هستند. اگرچه، بیانیه مطبوعاتی به صراحت در مورد قسمت اگزینوس مشخص نیست.

سامسونگ با Synopsys که یک شرکت متخصص در اتوماسیون طراحی الکترونیک است، همکاری کرده تا کل فرآیند تولید را تنظیم کند و در نتیجه بازده را به حداکثر برساند و عملکرد تراشه را بهبود بخشد. در بیانیه مطبوعاتی آمده است که این دو شرکت فناوری در مراحل نهایی طراحی به نام “تاپینگ اوت” هستند. اساساً، این بدان معناست که طرح نهایی به ریخته‌گری ارسال می‌شود تا بتواند خطوط تولید را برای فرآیند تولید انبوه تطبیق دهد.

این اولین تراشه پیچیده و با کارایی بالا سامسونگ بر اساس گره 3 نانومتری با استفاده از فرآیند Gate All Around سامسونگ (GAA) خواهد بود. ریخته‌گری‌های سامسونگ قبلاً از سال 2022 تراشه‌های 3 نانومتری تولید می‌کردند، اما این تراشه‌ها نمونه ساده‌ای هستند که برای استخراج ارزهای دیجیتال استفاده می‌شوند، در حالی که SoC مورد استفاده در دستگاه‌های تلفن همراه یک قطعه سخت‌افزار پیچیده‌تر است که به فرآیندهای طراحی و ساخت متفاوتی نیاز دارد.

اگر همه چیز طبق برنامه پیش برود، ریخته گری های سامسونگ باید تا چند ماه دیگر تولید انبوه SoC نسل بعدی را آغاز کنند. با این حال، مشخص نیست که آیا اولین تراشه 3 نانومتری در واقع اگزینوس 2500 برای سری گلکسی S25 خواهد بود یا یک سیستم روی چیپ دیگر.