SK hynix قصد دارد تا تولید NAND با 400 لایه را در سال 2025 آغاز کند
بر اساس گزارش‌ها، شرکت SK hynix در حال توسعه حافظه فلش NAND با 400 لایه است و برنامه‌ریزی کرده تا پایان سال 2025 تولید انبوه را آغاز نماید. این شرکت با همکاران زنجیره تأمین خود برای توسعه فناوری‌های فرایندی و تجهیزات مورد نیاز برای تراشه‌های NAND با 400 لایه و بیشتر در حال همکاری است.
اطلاعات مذکور از مقاله‌ای اخیر از رسانه کره‌ای etnews که به نقل از منابع صنعتی است، استخراج شده‌اند. SK hynix قصد دارد برای رسیدن به این مهم از فناوری پیوند هیبریدی استفاده کند، که انتظار می‌رود باعث ورود تأمین‌کنندگان جدید مواد بسته‌بندی و قطعات به زنجیره تأمین شود.
فرآیند توسعه شامل بررسی مواد پیوندی جدید و فناوری‌های متنوع برای اتصال ویفرهای گوناگون است، از جمله صیقل دادن، حکاکی، رسوب‌گذاری و سیم کشی. SK hynix هدف دارد تا پایان سال آینده فناوری و زیرساخت‌های مورد نیاز را آماده سازد. افزایش لایه‌های تراشه NAND تنها به SK hynix محدود نمی‌شود. سایر تولیدکنندگان نیمه‌رسانا نیز در این مسیر گام برمی‌دارند:
- سامسونگ اخیراً تولید انبوه V-NAND با 290 لایه‌ای را شروع کرده و هدف گذاری کرده تا سال 2030 بیش از 1000 لایه تولید نماید.
- مایکرون در ماه جولای، محصولی با بهره‌گیری از 276 لایه 3D NAND معرفی کرد.
- Kioxia در سال 2023 به 218 لایه دست یافته و برنامه‌ریزی کرده تا سال 2027 امکان تولید 1000 لایه را فراهم آورد.
برای مقایسه، SK hynix در آگوست 2023 یک نمونه NAND با 321 لایه را به نمایش گذاشت. این شرکت برای دستیابی به 400 لایه، قصد دارد از پیوند هیبریدی با ساختار “ویفر به ویفر” (W2W) استفاده کند، که با روش فعلی “Peripheral Under Cell” (PUC) که در آن سلول‌ها بر روی منطقه مدار رانندگی محیطی قرار می‌گیرند، متفاوت است.
تغییر به پیوند هیبریدی با هدف مقابله با چالش‌های ناشی از افزایش تعداد لایه‌ها، مانند خطر آسیب دیدن لوازم جانبی در طول فرآیند انباشته شدن سلول‌ها به خاطر حرارت و فشار زیاد، صورت می‌گیرد. SK hynix امیدوار است که با تولید سلول‌ها و لوازم جانبی بر روی ویفرهای مجزا پیش از اتصال آن‌ها، به افزایش پایدار لایه‌ها دست یابد و در عین حال از اجزای محیطی محافظت کند.
وقتی etnews درباره توسعه NAND با 400 لایه سوال کرد، SK hynix از ارائه جزئیات مشخص در مورد توسعه فناوری یا برنامه‌های تولید انبوه خودداری ورزید.
