سامسونگ تولید انبوه حافظه های QLC NAND نسل نهم را آغاز کرد
سامسونگ شروع به تولید انبوه تراشههای جدید QLC V-NAND برای SSDهای نسل بعدی با ظرفیتهای بالا کرده است. طبق اعلامیه رسمی وبلاگ، این سازنده مدعی است که نسل نهم QLC V-NAND خود را با “چندین فناوری پیشرفته” برای دوران هوش مصنوعی تلفیق کرده و شامل پیشرفتهایی برای افزایش تراکم، ظرفیت، سرعت بیشتر و کاهش مصرف انرژی میباشد.
تراشههای جدید 1 ترابایتی QLC V-NAND که در نسل نهم قرار دارند، از حافظههای TLC V-NAND نسل نهم که تولید آنها در آوریل 2024 آغاز شده بود، پیروی میکنند. سامسونگ اظهار دارد که تراشههای QLC جدید به خوبی نیازهای دوران هوش مصنوعی را پوشش میدهند، به ویژه در بازار SSDهای سازمانی. سونگهوی هور، مدیر اجرایی IP محصول و فناوری فلش در سامسونگ، درباره راهاندازی تراشههای حافظه QLC V-NAND نسل بعدی اظهار نظر کرده است:
موفقیت در شروع تولید انبوه QLC نسل نهم V-NAND فقط چهار ماه پس از نسخه TLC، به ما این امکان را میدهد که مجموعهای کامل از راهحلهای پیشرفته SSD را عرضه کنیم که پاسخگوی نیازهای دوران هوش مصنوعی است. با توجه به رشد سریع بازار SSD سازمانی و تقاضای فزاینده برای کاربردهای هوش مصنوعی، ما به تقویت موقعیت رهبری خود در این بخش از طریق QLC و TLC نسل نهم V-NAND ادامه خواهیم داد.
با استفاده از فناوری Channel Hole Etching سامسونگ، سلولهای چهار سطحی نسل نهم دارای چگالی 86 درصد بیشتری نسبت به تراشههای QLC V-NAND نسل پیشین هستند. علاوه بر این، سامسونگ ویژگیهای سلولی را در تمام لایهها بهینهسازی کرده است، که منجر به بهبود حدود 20 درصدی در عملکرد حفظ دادهها شده است.
در نهایت، تراشهها به دلیل فناوری برنامه پیشبینیکننده که وضعیت سلولهای حافظه را پیشبینی و کنترل میکند، با سرعت ورودی/خروجی که 60 درصد سریعتر است، کار میکنند. در زمینه مصرف انرژی که یک ویژگی حیاتی برای دستگاههای تلفن همراه به شمار میرود، سامسونگ ادعا کرده است که به دلیل طراحی کممصرف و کاهش ولتاژ نیازمند، مصرف انرژی در حالتهای خواندن و نوشتن به ترتیب 30 و 50 درصد کاهش یافته است.
هرچند که تمرکز اولیه روی بازار سازمانی میباشد، سامسونگ در نظر دارد تا استفاده از تراشههای حافظه نسل نهم QLC V-NAND خود را در محصولات مصرفی نظیر SSDهای با ظرفیت بالا و UFS (برای ذخیرهسازی فلش جهانی) در گوشیهای هوشمند پیشرفته توسعه دهد.