رونمایی سامسونگ از سنسور 144 مگاپیکسلی برپایه فرآیند 14 نانومتری FinFET

معمولا هنگامی که صحبت از فناوری نانومتر می شود، به یاد تراشه موجود در بازار می افتیم. با این حال، تیمی از شرکت سامسونگ در کنفرانس IEDM 2019، از نسل جدید سنسورهای تصویر 144 مگاپیکسلی مبتنی بر فرآیند 14 نانومتری FinFET ارائه کردند.

چالش اصلی بیشتر سنسورهای تصویر این است که باید با ولتاژ نسبتا زیاد (2 ولت و بالاتر) کار کنند و کلیه طراحان چیپست هدف کمترین ولتاژ ممکن را دارند (زیرا این باعث کاهش مصرف برق و گرما می شود). طبق گفته محققان سامسونگ، تکنولوژی 14 نانومتری FinFET اجازه کاهش 42 درصدی مصرف انرژی در یک سنسور 144 مگاپیکسلی هنگام گرفتن تصاویر با سرعت 10 فریم در ثانیه را خواهد داد.

همچنین برای یک بازخوانی 12 مگاپیکسلی نیز با نرخ 30-120 فریم بر ثانیه (مثال ضبط ویدیو) می تواند کاهش 37 درصدی در مصرف انرژی داشته باشد. توجه داشته باشید که این فرآیند هیچ ارتباطی با اندازه پیکسل ها ندارد، در عوض فناوری 14 نانومتری به ترانزیستورهایی اطلاق می شود که سیگنال حاصل از پیکسل ها را به همراه سایر سخت افزارهای پردازش آنالوگ و دیجیتالی که روی سنسور تصویر هستند، تقویت کنند.