سامسونگ گره های فرآیند جدید 2، 4 و 1.4 نانومتری را معرفی کرد
امروز سامسونگ از آخرین نوآوری های ریخته گری خود و همچنین چشم انداز خود برای عصر هوش مصنوعی را در طی رویدادی که در دفتر مرکزی شرکت Device Solutions America در سن خوزه، کالیفرنیا برگزار شد، رونمایی کرد. برای مشارکت در مسابقه هوش مصنوعی، این شرکت روی گره های (node) فرآیند آینده خود کار کرده و گزارش شده که پیشرفت هایی داشته است.
توسعه شامل سه گره فرآیند جدید – SF2Z، SF1.4 و SF4U است. همانطور که احتمالاً از روی نام ها می توانید حدس بزنید، اینها پیشرفته ترین گره های پردازش 2 نانومتری، 1.4 نانومتری و 4 نانومتری این شرکت تاکنون هستند. طبق گزارش ها، آنها این سه گره را در پلتفرم راه حل های هوش مصنوعی سامسونگ ادغام خواهند کرد. دکتر سیونگ چوی مدیر بخش تجارت ریخته گری سامسونگ الکترونیکس، گفت: در کنار فرآیند GAA، که به گفته این شرکت برای شتابدهندههای هوش مصنوعی مناسب است، این شرکت همچنین برنامههایی برای معرفی فناوری اپتیک یکپارچه و همبسته (CPO) برای پردازش دادههای پرسرعت و کم مصرف دارد.
جدیدترین فرآیند 2 نانومتری این شرکت، SF2Z، از فناوری بهینهسازی شبکه تحویل توان پشتی (BSPDN) استفاده میکند. بر اساس این اعلامیه، فرآیند جدید ریل های برق را در پشت ویفر قرار می دهد تا گلوگاه بین خطوط برق و سیگنال از بین برود. با کمک فناوری BSPDN، فناوری SFZ2 عملکرد بهبود یافته ای را در مقایسه با SE2، اولین گره فرآیند 2 نانومتری ارائه می دهد. علاوه بر این، SFZ2 همچنین به طور قابل توجهی افت ولتاژ (افت IR) را کاهش می دهد و عملکرد طراحی های HPC را افزایش می دهد. این شرکت خاطرنشان کرد که تولید انبوه گره فرآیند SFZ2 در سال 2027 آغاز خواهد شد.