
چین موفق به تولید تراشههای 5 نانومتری بدون EUV شد
در یک دستاورد قابل توجه، شرکت SMIC چین موفق شده تراشههای 5 نانومتری را بدون استفاده از لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) تولید کند. این موفقیت با بهرهگیری از لیتوگرافی فرابنفش عمیق (DUV) و استفاده از تکنیک پیشرفته الگویبندی چهارگانه خودترازشده (SAQP) حاصل شده است.
تا پیش از این، بسیاری از کارشناسان صنعت نیمهرسانا معتقد بودند که بدون فناوری EUV، امکان تولید تراشههای 5 نانومتری وجود ندارد. اما SMIC توانسته با استفاده از روشهای جایگزین و افزایش تعداد مراحل لیتوگرافی و اچینگ، این محدودیت را دور بزند. این روش گرچه پیچیدهتر، کندتر و پرهزینهتر از EUV است، اما نشان داده که مؤثر و کاربردی است.
یکی از اولین محصولات مجهز به این تراشههای 5 نانومتری، گوشی هواوی میت 60 است که از پردازنده Kirin 9000S بهره میبرد و حتی از آیفون 15 در ارائه قابلیت تماس ماهوارهای پیشی گرفته است. علاوه بر این، هواوی اخیراً تراشه Ascend 920 را معرفی کرده که در حوزه هوش مصنوعی عملکرد قابل توجهی دارد. این تراشه بر پایه فرآیند N+3 ساخته شده که معادل 6 نانومتر است و قدرت پردازشی فوقالعادهای در اختیار کاربران قرار میدهد.
چگونه تحریمها باعث پیشرفت چین شدند؟ تحریمهای آمریکا علیه صنعت نیمهرسانای چین، به جای توقف توسعه، مسیر رشد را تغییر دادهاند. شرکتهای چینی مانند AMEC و NAURA که پیشتر در حال تقلید فناوریهای غربی بودند، اکنون در خط مقدم نوآوری قرار گرفتهاند. این شرکتها تجهیزات پیشرفتهای توسعه دادهاند که میتوانند با Lam Research آمریکا و TEL ژاپن رقابت کنند.
آینده چیست؟ آیا 3 نانومتر بدون EUV ممکن است؟ گمانهزنیهایی وجود دارد که SMIC در حال بررسی استفاده از الگویبندی هشتگانه خودترازشده (SAOP) برای تولید تراشههای 3 نانومتری است. اگر این تکنیک عملی شود، میتواند تعاریف سنتی از لیتوگرافی و وابستگی به تجهیزات غربی را کاملاً تغییر دهد.